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陈杰智教授课题组电报噪声随机数发生器研究成果在2018 Symposium on VLSI Technology大会发表

发布时间:2018-06-25 作者:李岩 编辑:山大人事部
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:16pxfamily: 微软雅黑,sans-serifze:16px; wid th:94">声是影响集成电路及存储器的核心可靠性问题之一。在三维NAND闪Nd="7D蔙7-">存 储器中,电报噪声来源于电荷隧穿层的缺陷和多晶硅沟道的界面..." /> 多晶噪-[if中,器据会蔙误读写并成电中,电问题之;NAN路及存储报Nd="7D蔙7-">, 绝缘介质多晶理 剙掃扡琉人事信息科/h5>